SI7308DN-T1-GE3
Vishay Siliconix
Deutsch
Artikelnummer: | SI7308DN-T1-GE3 |
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Hersteller / Marke: | Vishay / Siliconix |
Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 60V 6A PPAK1212-8 |
Datenblätte: |
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RoHs Status: | ROHS3 -konform |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
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Anzahl | Einzelpreis |
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1+ | $1.18 |
10+ | $1.053 |
100+ | $0.8211 |
500+ | $0.6783 |
1000+ | $0.5355 |
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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VGS (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Vgs (Max) | ±20V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Supplier Device-Gehäuse | PowerPAK® 1212-8 |
Serie | TrenchFET® |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 58mOhm @ 5.4A, 10V |
Verlustleistung (max) | 3.2W (Ta), 19.8W (Tc) |
Verpackung / Gehäuse | PowerPAK® 1212-8 |
Paket | Tape & Reel (TR) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Befestigungsart | Surface Mount |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 665 pF @ 15 V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 20 nC @ 10 V |
Typ FET | N-Channel |
FET-Merkmal | - |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 60 V |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 6A (Tc) |
Grundproduktnummer | SI7308 |
SI7308DN-T1-GE3 Einzelheiten PDF [English] | SI7308DN-T1-GE3 PDF - EN.pdf |
MOSFET P-CH 60V 8A PPAK1212-8
MOSFET N-CH 60V 6A 1212-8
VISHAY QFN-8
MOSFET N-CH 60V 6A PPAK1212-8
VISHAY QFN8
MOSFET N-CH 220V 8.4A 1212-8
MOSFET N-CH 220V 8.4A PPAK1212-8
VISHAY QFN8
MOSFET P-CH 60V 8A PPAK1212-8
MOSFET P-CH 60V 8A 1212-8
MOSFET N-CH 60V 6A 1212-8
MOSFET N-CH 220V 8.4A 1212-8
MOSFET P-CH 150V 8.9A PPAK1212-8
SI7308DN-TI-GE3 VISHAY
SI7308DN VISHAY
MOSFET N-CH 220V 8.4A PPAK1212-8
MOSFET P-CH 60V 8A 1212-8 PPAK
SI7308DN-T1-E3-PBF VISHAY
2024/06/6
2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
![]() SI7308DN-T1-GE3Vishay Siliconix |
Anzahl*
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Zielpreis (USD)
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